
基本信息:
- 专利标题: 化合物半导体及其制备方法
- 申请号:CN201580052778.X 申请日:2015-09-25
- 公开(公告)号:CN106796980B 公开(公告)日:2018-11-23
- 发明人: 李载骑 , 金兑训 , 朴哲熙
- 申请人: 株式会社LG化学
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: 株式会社LG化学
- 当前专利权人: 株式会社LG化学
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人: 蔡胜有; 苏虹
- 优先权: 10-2014-0130569 20140929 KR
- 国际申请: PCT/KR2015/010192 2015.09.25
- 国际公布: WO2016/052948 KO 2016.04.07
- 进入国家日期: 2017-03-29
- 主分类号: H01L35/18
- IPC分类号: H01L35/18 ; H01L35/34 ; H01L31/032 ; H01L31/18
摘要:
公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示: M1aCo4Sb12‑xM2x,其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中,并且0≤a≤1.8且0
摘要(英):
Disclosed is a compound semiconductor material with excellent performance and its utilization. The compound semiconductor may be expressed by Chemical Formula 1 below: €ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ Chemical Formula 1 €ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒMl a Co 4 Sb 12-x M2 x where M1 and M2 are respectively at least one selected from In and a rare earth metal element, 0‰¤a‰¤1.8, and 0
公开/授权文献:
- CN106796980A 化合物半导体及其制备方法 公开/授权日:2017-05-31
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L35/00 | 包含有一个不同材料结点的热电器件,即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier效应的热电器件;专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备;这些热电器件的零部件 |
--------H01L35/02 | .零部件 |
----------H01L35/14 | ..应用无机合成物的 |
------------H01L35/18 | ...包含有砷或锑或铋的 |