基本信息:
- 专利标题： 一种非绝缘双塔型二极管模块
- 专利标题（英）：Non-insulating dual-tower type diode module
- 申请号：CN201611148565.X 申请日：2016-12-13
- 公开(公告)号：CN106783773A 公开(公告)日：2017-05-31
- 发明人： 车湖深 , 于今 , 李彦莹
- 申请人： 中航(重庆)微电子有限公司
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
- 专利权人： 中航(重庆)微电子有限公司
- 当前专利权人： 华润微电子(重庆)有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
- 代理机构： 上海申新律师事务所
- 代理人： 俞涤炯
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L21/60 ; H01L23/367 ; H05K3/34 ; H05K1/11
The invention relates to the technical field of integrated circuit manufacturing, particularly to a non-insulating dual-tower type diode module. A diode chip is directly welded on a bottom plate, and the diode chip is connected with a main terminal through aluminum wires and a ceramic copper-clad plate; the mechanical stress and internal resistance of the diode chip are lowered in installation and operating processes, and the operating reliability of the diode is improved; and meanwhile, by adoption of the main terminal with a specific bending shape, when the main terminal on the module suffers from stress, external stress can be buffered by the bending shape on the main terminal, so that the internal structure of the module can be further protected.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |