基本信息:
- 专利标题： 动态随机存取存储器电路及其电压控制方法
- 专利标题（英）：DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT AND VOLTAGE CONTROLLING METHOD THEREOF
- 申请号：CN201610446725.2 申请日：2016-06-20
- 公开(公告)号：CN106782643A 公开(公告)日：2017-05-31
- 发明人： 许庭硕 , 陈至仁
- 申请人： 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号
- 专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号
- 代理机构： 北京中誉威圣知识产权代理有限公司
- 代理人： 王正茂; 丛芳
- 优先权： 14/949,857 20151123 US
- 主分类号： G11C11/4074
- IPC分类号： G11C11/4074
摘要：
本发明公开了一种动态随机存取存储器电路及其电压控制方法。动态随机存取存储器电路包含：多个记忆单元、多个字元线驱动器以及第一电压产生器。多个字元线驱动器各自电性耦接多个记忆单元。第一电压产生器电性耦接多个字元线驱动器，第一电压产生器用以产生第一电压信号至多个字元线驱动器。其中在多个记忆单元的自我更新周期中，第一电压产生器将第一电压信号由第一准位降低至第二准位。借此，本发明的动态随机存取存储器电路，可降低动态随机存取存储器电路在自我更新周期中的功率损耗。
摘要（英）：
The invention discloses a dynamic random access memory circuit and a voltage controlling method thereof. The dynamic random access memory circuit includes several memory cells, several word line drivers and a first voltage generator. The first voltage generator electrically coupled with the word line drivers, and the first voltage generator is configured to generate a first voltage signal to the word line drivers, in which during a self refresh period of the memory cells, the first voltage signal is decreased by the first voltage generator from a first level to a second level. In this way, power loss of the dynamic random access memory circuit in a self adaption period can be reduced.
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/4063 | .....辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的 |
| ------------G11C11/407 | ......用于场效应型存储单元的 |
| --------------G11C11/4074 | .......电源或电压发生电路，例如，偏置电压发生器、衬底片电压发生器、后备电源、电源控制电路 |