基本信息:
- 专利标题： 一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法
- 申请号：CN201510767499.3 申请日：2015-11-11
- 公开(公告)号：CN106684146B 公开(公告)日：2020-03-24
- 发明人： 陈喜明 , 刘可安 , 李诚瞻 , 赵艳黎 , 丁荣军
- 申请人： 株洲南车时代电气股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 专利权人： 株洲南车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人： 株洲中车时代电气股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省株洲市石峰区时代路169号
- 代理机构： 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘烽; 吴大建
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/423 ; H01L29/43
摘要：
本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
摘要（英）：
The invention relates to a gate self-alignment type silicon carbide MOSFET and a preparation method therefor. According to the preparation method, the gate self-alignment type silicon carbide MOSFET is prepared by taking polycrystal silicon carbide as a self-alignment gate electrode precursor of the silicon carbide MOSFET; in the preparation process, the polycrystal silicon carbide replaces polysilicon to be used as a gate self-alignment ion injection mask, so that the preparation of the silicon carbide MOSFET can fully execute a gate self-alignment process in a silicon MISFET manufacturing process; and therefore, the problems of metal pollution and low alignment precision of the existing channel self-alignment process can be solved.
公开/授权文献:
- CN106684146A 一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法 公开/授权日：2017-05-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |