基本信息:
- 专利标题： 一种超低阻硅靶材的生产方法
- 专利标题（英）：Production method of ultralow-resistance silicon targets
- 申请号：CN201710004519.0 申请日：2017-01-04
- 公开(公告)号：CN106676486A 公开(公告)日：2017-05-17
- 发明人： 张磊 , 顾正 , 张晓峰 , 郭校亮 , 陈良杰
- 申请人： 青岛蓝光晶科新材料有限公司
- 申请人地址： 山东省青岛市即墨市蓝色硅谷核心区创业中心一期海创中心3号楼A座4-401
- 专利权人： 青岛蓝光晶科新材料有限公司
- 当前专利权人： 青岛蓝光晶科新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 山东省青岛市即墨市蓝色硅谷核心区创业中心一期海创中心3号楼A座4-401
- 代理机构： 大连理工大学专利中心
- 代理人： 梅洪玉
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C30B28/06 ; C30B11/00 ; C30B29/06
摘要：
本发明涉及硅靶材生产技术领域，特别涉及一种超低阻硅靶材的生产方法。该方法采用经过酸浸泡处理过的高硼含量母合金掺入，经过高效铸锭工艺进行硅靶材生产。本发明可使硅靶材的电阻率小于0.01Ω·cm，最低可达到0.005Ω·cm，其尺寸范围可以达到500mm×500mm，纯度大于5.5N，致密度大于99％。
摘要（英）：
The invention relates to the technical field of production of silicon targets, in particular to a production method of ultralow-resistance silicon targets. The method mixes high-boron-content master alloys dipped by acid to produce the silicon targets by a high-efficiency ingot casting process. The resistivity of the silicon targets is lower than 0.01 omega.cm, and is the lowest to reach 0.005 omega.cm; the size range can reach 500 mm*500 mm; the purity is higher than 5.5 N; and the compactness is higher than 99%.
公开/授权文献:
- CN106676486B 一种超低阻硅靶材的生产方法 公开/授权日：2021-05-07