基本信息:
- 专利标题： 离子注入工具以及离子注入方法
- 专利标题（英）：Ion implantation tool and ion implantation method
- 申请号：CN201610683472.0 申请日：2016-08-18
- 公开(公告)号：CN106653539A 公开(公告)日：2017-05-10
- 发明人： 李圣伟
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 优先权： 14/925,875 20151028 US
- 主分类号： H01J37/30
- IPC分类号： H01J37/30 ; H01J37/317
摘要：
一种离子注入工具包括工艺室、压板、离子源、以及多个控制单元。压板存在于工艺室中并且被配置成保持晶圆。离子源被配置成将离子束提供至晶圆上。控制单元存在于压板上并且被配置成施加多个物理场，该物理场能够影响离子束的离子至晶圆上的运动。
摘要（英）：
An ion implantation tool includes a process chamber, a platen, an ion source, and a plurality of controlling units. The platen is present in the process chamber and configured to hold a wafer. The ion source is configured to provide an ion beam onto the wafer. The controlling units are present on the platen and configured to apply a plurality of physical fields that are able to affect motions of ions of the ion beam onto the wafer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/30 | .物体局部处理用的电子束管或离子束管 |