基本信息:
- 专利标题： 具有多级操作的非易失性铁电存储器单元
- 专利标题（英）：Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation
- 申请号：CN201580043366.X 申请日：2015-06-03
- 公开(公告)号：CN106575702A 公开(公告)日：2017-04-19
- 发明人： 朴志勋 , 胡萨姆·N·阿尔沙雷夫 , 穆赫德·A·卡恩 , 伊哈卜·尼扎尔·乌达
- 申请人： 沙特基础工业全球技术公司
- 申请人地址： 荷兰贝亨奥普佐姆
- 专利权人： 沙特基础工业全球技术公司
- 当前专利权人： 沙特基础工业全球技术公司
- 当前专利权人地址： 荷兰贝亨奥普佐姆
- 代理机构： 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理人： 胡春光; 张颖玲
- 优先权： 62/039,229 20140819 US
- 国际申请： PCT/US2015/033983 2015.06.03
- 国际公布： WO2016/028356 EN 2016.02.25
- 进入国家日期： 2017-02-13
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; G11C11/15
Ferroelectric components, such as the ferroelectric field effect transistors (FeFETs), ferroelectric capacitors and ferroelectric diodes described above may be operated as multi-level memory cells as described by the present invention. Storing multiple bits of information in each multi-level memory cell may be performed by a controller coupled to an array of the ferroelectric components configured as ferroelectric memory cells. The controller may execute the steps of receiving a bit pattern for writing to a multi-level memory cell comprising a ferroelectric layer; selecting a pulse duration for applying a write pulse to the memory cell based, at least in part, on the received bit pattern; and applying at least one write pulse to the memory cell having the selected pulse duration, in which the at least one write pulse creates a remnant polarization within the ferroelectric layer that is representative of the received bit pattern.
公开/授权文献:
- CN106575702B 具有多级操作的非易失性铁电存储器单元 公开/授权日：2018-05-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |