基本信息:
- 专利标题： 用于低剖面基板的图案间图案
- 专利标题（英）：Pattern between pattern for low profile substrate
- 申请号：CN201580019675.3 申请日：2015-04-10
- 公开(公告)号：CN106575623A 公开(公告)日：2017-04-19
- 发明人： H·B·蔚 , C-K·金 , D·W·金 , J·S·李 , K-P·黄 , Y·K·宋
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 李小芳
- 优先权： 14/253,798 20140415 US
- 国际申请： PCT/US2015/025435 2015.04.10
- 国际公布： WO2015/160671 EN 2015.10.22
- 进入国家日期： 2016-10-13
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L21/768 ; H01L23/498 ; H01L23/528 ; H01L23/532
摘要：
公开了包括形成在第一图案化金属层中间的第二图案化金属层的集成电路(IC)基板。形成在第一图案化金属层上的介电层将这两个金属层分隔开。非导电层形成在介电层和第二图案化金属层上。
摘要（英）：
An integrated circuit (IC) substrate that includes a second patterned metal layer formed in between a first patterned metal layer is disclosed. A dielectric layer formed on the first patterned metal layer separates the two metal layers. A non-conductive layer is formed on the dielectric layer and the second patterned metal layer.