基本信息:
- 专利标题： 一种制备钛铝合金薄膜的方法
- 申请号：CN201510648669.6 申请日：2015-10-09
- 公开(公告)号：CN106567053B 公开(公告)日：2019-03-15
- 发明人： 丁玉强 , 赵超 , 项金娟 , 杨淑艳
- 申请人： 中国科学院微电子研究所 , 江南大学
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所,江南大学
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,江南大学
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京维澳专利代理有限公司
- 代理人： 党丽; 江怀勤
- 主分类号： C23C16/18
- IPC分类号： C23C16/18
摘要：
本发明提供了一种制备TiAl合金薄膜的方法，其中，提供反应腔室，该反应腔室内放置有至少一个衬底；向反应腔室中引入铝前驱物和钛前驱物，所述铝前驱物具有结构式(I)的分子结构；使所述铝前驱物和所述钛前驱物与所述衬底接触，通过气相沉积在所述衬底表面形成钛铝合金薄膜。本发明提供的方法解决了传统PVD在小尺寸器件中的台阶覆盖问题及不完全填充的问题，同时也避免了采用等离子体辅助形成钛铝合金薄膜，使得基底不受等离子体损伤，保证器件性能和/或可靠性不受影响。
公开/授权文献:
- CN106567053A 一种制备钛铝合金薄膜的方法 公开/授权日：2017-04-19