基本信息:
- 专利标题： 一种基片的刻蚀方法
- 专利标题（英）：Etching method of substrate
- 申请号：CN201510563998.0 申请日：2015-09-07
- 公开(公告)号：CN106504982A 公开(公告)日：2017-03-15
- 发明人： 周娜 , 于丰源 , 李成强
- 申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼
- 专利权人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
- 当前专利权人： 北京北方华创微电子装备有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼
- 代理机构： 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理人： 申健
- 主分类号： H01L21/04
- IPC分类号： H01L21/04 ; H01L21/3065
The present invention provides an etching method of a substrate and belongs to the semiconductor technical field. With the etching method adopted, microchannels at the joint of the bottom and side wall of a pattern can be eliminated, and the reliability of a device can be improved. The etching method comprises the step that the substrate is etched with predetermined etching gases and under predetermined process pressure, predetermined upper electrode radio-frequency power and predetermined cooler temperature; the predetermined etching gases include a first etching gas and a second etching gas, wherein the first etching gas is a gas capable of chemically reacting with the substrate, and the second etching gas is a gas which does not chemically react with the first etching gas, the substrate and a reaction product of the first etching gas and the substrate; and the predetermined cooler temperature is greater than 0 DEC C.
公开/授权文献:
- CN106504982B 一种基片的刻蚀方法 公开/授权日：2020-07-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/04 | ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层 |