基本信息:
- 专利标题： 一种快恢复二极管及其制备方法
- 申请号：CN201610842716.5 申请日：2016-09-22
- 公开(公告)号：CN106298512B 公开(公告)日：2024-05-14
- 发明人： 曹功勋 , 吴迪 , 刘钺杨 , 何延强 , 董少华 , 徐哲 , 和峰 , 金锐 , 温家良 , 潘艳
- 申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内; ;
- 专利权人： 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司
- 当前专利权人： 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内; ;
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/329
- IPC分类号： H01L21/329 ; H01L29/868 ; H01L29/06
摘要：
本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。
公开/授权文献:
- CN106298512A 一种快恢复二极管及其制备方法 公开/授权日：2017-01-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/329 | .....包括1个或两个电极的器件，例如二极管 |