基本信息:
- 专利标题： 用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法
- 专利标题（英）：METHOD FOR IMAGING WAFER WITH FOCUSED CHARGED PARTICLE BEAM IN SEMICONDUCTOR FABRICATION
- 申请号：CN201610051623.0 申请日：2016-01-26
- 公开(公告)号：CN106252248A 公开(公告)日：2016-12-21
- 发明人： 周廷璁
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 优先权： 14/739,198 2015.06.15 US
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
提供一种用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括：将半导体晶圆定位在扫描电子显微镜(SEM)中。该方法进一步包括：产生在半导体晶圆的工艺表面上指定的测试区域的至少部分的图像。该方法还包括：在测试区域中选择的检查点处，调整SEM的带电粒子束的状态。此外，该方法包括：在调整带电粒子束的状态之后，产生测试区域的另一部分的图像。本发明实施例涉及用于在半导体制造中使具有聚焦的带电的粒子束的晶圆成像的方法。
摘要（英）：
A method for processing a semiconductor wafer is provided. The method includes positioning the semiconductor wafer in a scanning electron microscope (SEM). The method further includes producing images of at least a portion of a test region that is designated on a process surface of the semiconductor wafer. The method also includes adjusting the condition of a charged particle beam of the SEM at a check point selected in the test region. In addition, the method includes producing images of another portion of the test region after the condition of the charged particle beam is adjusted. The embodiment relates to a method for imaging wafer with focused charged particle beam in semiconductor fabrication.
公开/授权文献:
- CN106252248B 在半导体制造中使具有聚焦的带电粒子束晶圆成像的方法 公开/授权日：2019-05-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |