基本信息:
- 专利标题： 相位反转空白掩模及光掩模
- 申请号：CN201510421048.4 申请日：2015-07-17
- 公开(公告)号：CN106200256B 公开(公告)日：2020-07-10
- 发明人： 南基守 , 申澈 , 梁澈圭 , 李钟华 , 崔珉箕 , 金昌俊 , 张圭珍
- 申请人： 株式会社 , S&S , TECH
- 申请人地址： 韩国大邱广域市达西区虎山洞路42,704-240
- 专利权人： 株式会社,S&S,TECH
- 当前专利权人： 株式会社,S&S,TECH
- 当前专利权人地址： 韩国大邱广域市达西区虎山洞路42,704-240
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 樊晓焕; 张天舒
- 优先权： 10-2014-0110771 2014.08.25 KR
- 主分类号： G03F1/26
- IPC分类号： G03F1/26 ; G03F1/32
摘要：
本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。
公开/授权文献:
- CN106200256A 相位反转空白掩模及光掩模 公开/授权日：2016-12-07
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03F | 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备 |
| ------G03F1/00 | 用于图纹面的照相制版的原版的制备 |
| --------G03F1/26 | .相移掩膜 |