基本信息:
- 专利标题： 半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件
- 申请号：CN201580018723.7 申请日：2015-03-05
- 公开(公告)号：CN106165073B 公开(公告)日：2019-05-07
- 发明人： 佐藤宪 , 鹿内洋志 , 后藤博一 , 篠宫胜 , 土屋庆太郎 , 萩本和德
- 申请人： 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
- 申请人地址： 日本埼玉县
- 专利权人： 三垦电气株式会社,信越半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 三垦电气株式会社,信越半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本埼玉县
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 李英艳
- 优先权： 2014-080371 2014.04.09 JP
- 国际申请： PCT/JP2015/001189 2015.03.05
- 国际公布： WO2015/155930 JA 2015.10.15
- 进入国家日期： 2016-10-10
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/812
摘要：
本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。
公开/授权文献:
- CN106165073A 半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 公开/授权日：2016-11-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/338 | ......带有肖特基栅的 |