基本信息:
- 专利标题： 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备
- 申请号：CN201610872345.5 申请日：2016-09-30
- 公开(公告)号：CN106158877B 公开(公告)日：2019-04-02
- 发明人： 朱慧珑
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 倪斌
- 主分类号： H01L27/11517
- IPC分类号： H01L27/11517 ; H01L27/11551 ; H01L27/11563 ; H01L27/11578 ; H01L27/11585 ; H01L27/11597
摘要：
公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。存储器件可以包括：衬底上向上延伸的多个第一柱状有源区和多个第二柱状有源区，分别排列为第一、第二阵列，每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，各第一柱状有源区中相应的沟道层处于实质上相同的平面上，且相应的源/漏层处于实质上相同的平面上，每一第二柱状有源区包括一体延伸的有源半导体层；位于各第二柱状有源区下部的柱状导电接触部；绕各柱状导电接触部的外周形成的绝缘层；分别与沟道层所在的各平面处于实质上相同的平面中且分别环绕相应平面上各沟道层的外周的多层第一存储栅堆叠；环绕各第二柱状有源区外周的多层第二存储栅堆叠。
公开/授权文献:
- CN106158877A 存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备 公开/授权日：2016-11-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11517 | .......具有浮栅的 |