基本信息:
- 专利标题： 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201610531429.2 申请日：2016-07-07
- 公开(公告)号：CN106129174B 公开(公告)日：2017-08-29
- 发明人： 叶凡 , 蔡兴民 , 苏小强 , 范平 , 张东平
- 申请人： 深圳大学
- 申请人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人： 深圳大学
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市南山区南海大道3688号
- 代理机构： 深圳市君胜知识产权代理事务所
- 代理人： 王永文; 刘文求
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; C23C14/08
摘要：
本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF2粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。本发明制备掺氟氧化亚铜薄膜的方法，其可控性强、工艺简单、制作成本低，并且生成的薄膜具有很好的附着性和重复性，可满足大规模生产需要；并且本发明制备的掺氟氧化亚铜薄膜具有载流子迁移率高、电阻率低等特点，可有效提高掺氟氧化亚铜薄膜制成的太阳能电池光电转换效率。
公开/授权文献:
- CN106129174A 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法 公开/授权日：2016-11-16