基本信息:
- 专利标题： 图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法
- 申请号：CN201610248296.8 申请日：2016-04-20
- 公开(公告)号：CN106067513B 公开(公告)日：2019-07-09
- 发明人： 萨曼莎·坦 , 特塞翁格·金姆 , 杨文斌 , 杰弗里·马克斯 , 索斯藤·利尔
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理人： 樊英如; 李献忠
- 优先权： 62/150,053 20150420 US 14/749,291 20150624 US
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; H01J37/305
摘要：
本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
摘要（英）：
Methods of etching metal by depositing a material reactive with a metal to be etched and a halogen to form a volatile species and exposing the substrate to a halogen-containing gas and activation gas to etch the substrate are provided. Deposited materials may include silicon, germanium, titanium, carbon, tin, and combinations thereof. Methods are suitable for fabricating MRAM structures and may involve integrating ALD and ALE processes without breaking vacuum.
公开/授权文献:
- CN106067513A 图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法 公开/授权日：2016-11-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |