基本信息:
- 专利标题： 金属内连线结构及其制作方法
- 申请号：CN201510122601.4 申请日：2015-03-20
- 公开(公告)号：CN106033741B 公开(公告)日：2020-09-15
- 发明人： 刘恩铨 , 童宇诚 , 杨智伟
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/522
摘要：
本发明公开一种金属内连线结构及其制作方法。该制作方法包括，首先提供一基底，该基底上设有一第一金属间介电层，然后形成一金属内连线于第一金属间介电层中，去除部分第一金属间介电层，形成一间隙壁于金属内连线旁以及利用间隙壁为掩模去除部分第一金属间介电层以于金属间介电层中形成一开口。
公开/授权文献:
- CN106033741A 金属内连线结构及其制作方法 公开/授权日：2016-10-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |