基本信息:
- 专利标题： β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体
- 申请号：CN201480053760.7 申请日：2014-09-18
- 公开(公告)号：CN105992841B 公开(公告)日：2021-10-22
- 发明人： 后藤健 , 佐佐木公平 , 绞缬明伯 , 熊谷义直 , 村上尚
- 申请人： 株式会社田村制作所 , 国立大学法人东京农工大学
- 申请人地址： 日本东京都;
- 专利权人： 株式会社田村制作所,国立大学法人东京农工大学
- 当前专利权人： 株式会社田村制作所,国立大学法人东京农工大学
- 当前专利权人地址： 日本东京都;
- 代理机构： 北京市隆安律师事务所
- 代理人： 徐谦; 刘宁军
- 优先权： 2013-203198 20130930 JP 2014-088589 20140422 JP
- 国际申请： PCT/JP2014/074659 2014.09.18
- 国际公布： WO2015/046006 JA 2015.04.02
- 进入国家日期： 2016-03-29
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; C23C16/40 ; C23C16/448 ; C30B25/14 ; H01L21/365
摘要：
提供能够高效生长出高质量且大口径的β‑Ga2O3系单晶膜(β‑Ga2O3‑based single crystal film)的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法和具有通过该生长方法生长出的β‑Ga2O3系单晶膜的晶体层叠结构体。一实施方式提供一种β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，其是利用HVPE法的β‑Ga2O3系单晶膜的生长方法，包含将Ga2O3系基板10暴露于氯化镓系气体和含氧气体，在Ga2O3系基板10的主面11上使β‑Ga2O3系单晶膜12以900℃以上的生长温度生长的工序。
公开/授权文献:
- CN105992841A β-Ga2O3系单晶膜的生长方法和晶体层叠结构体 公开/授权日：2016-10-05