基本信息:
- 专利标题： 用于制造多晶硅的装置
- 专利标题（英）：Apparatus for manufacturing polysilicon
- 申请号：CN201480070732.6 申请日：2014-11-19
- 公开(公告)号：CN105848774A 公开(公告)日：2016-08-10
- 发明人： 朴奎学 , 朴成殷 , 朴济城 , 李熙东
- 申请人： 韩化石油化学株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 韩化石油化学株式会社
- 当前专利权人： 韩华化学株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京金信知识产权代理有限公司
- 代理人： 张皓; 钱程
- 优先权： 10-2013-0141533 2013.11.20 KR
- 国际申请： PCT/KR2014/011142 2014.11.19
- 国际公布： WO2015/076564 EN 2015.05.28
- 进入国家日期： 2016-06-23
- 主分类号： B01J19/24
- IPC分类号： B01J19/24 ; C01B33/04
摘要：
本发明提供了一种使用化学气相沉积(CVD)反应器用于制造多晶硅的装置。所述用于制造多晶硅的装置包括：反应室，其包括基底和反应器盖；至少一对电极，其通过绝缘部件穿过所述基底安装并与电源连接；至少一对丝极，其通过电极夹头与该对电极耦合并且其上端彼此连接；以及盖组件，其包括在所述基底上围绕该对电极中每一个电极的上表面和侧面的电极盖，以及覆盖所述电极盖的上表面的盖屏蔽物。
摘要（英）：
An apparatus for manufacturing polysilicon using a chemical vapor deposition (CVD) reactor is provided. The apparatus for manufacturing polysilicon includes: a reaction chamber including a substrate and a reactor cover; at least a pair of electrodes installed through the substrate by an insulating member and connected with a power supply; at least a pair of filaments which are coupled with the pair of electrodes by an electrode chuck and of which upper ends are connected to each other; and a cover assembly including an electrode cover surrounding an upper surface and a side of each of the pair of electrodes on the substrate and a cover shield covering the upper surface of the electrode cover.
公开/授权文献:
- CN105848774B 用于制造多晶硅的装置 公开/授权日：2018-04-10