基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201511021446.3 申请日：2015-12-31
- 公开(公告)号：CN105810686B 公开(公告)日：2018-10-26
- 发明人： 置田阳一 , 伊藤英树 , 王文生
- 申请人： 富士通半导体股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川县横滨市
- 专利权人： 富士通半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 富士通半导体存储方案股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县横滨市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人： 聂慧荃; 黄艳
- 优先权： 2015-008640 2015.01.20 JP
- 主分类号： H01L27/11502
- IPC分类号： H01L27/11502
A method of manufacturing a semiconductor device includes: forming an insulating film above a semiconductor substrate; forming a conductive film on the insulating film; forming a dielectric film on the conductive film; forming a plurality of upper electrodes at intervals on the dielectric film; forming a first protective insulating film on the upper electrodes and the dielectric film by a sputtering method; forming a second protective insulating film on the first protective insulating film by an atomic layer deposition method, thereby filling gaps of a grain boundary of the dielectric film with the second protective insulating film; and patterning the conductive film after the second protective insulating film is formed to provide a lower electrode.
公开/授权文献:
- CN105810686A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2016-07-27
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |