基本信息:
- 专利标题： 具有超短停留时间的激光退火系统及方法
- 专利标题（英）：Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times
- 申请号：CN201510938929.3 申请日：2015-12-16
- 公开(公告)号：CN105719958A 公开(公告)日：2016-06-29
- 发明人： A·M·哈维鲁克 , S·阿尼基特切夫
- 申请人： 超科技公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 超科技公司
- 当前专利权人： 威科仪器有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 申发振
- 优先权： 62/092,925 2014.12.17 US
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/324 ; B23K26/00
摘要：
本发明公开了具有超短停留时间的激光退火系统及方法。该方法包括利用预加热线图像来局部地预加热半导体晶片，然后相对于预加热线图像快速地扫描退火图像以定义具有停留时间在10ns到500ns范围内的扫描重叠区域。这些超短停留时间对于执行产品晶片的表面熔化退火或者次表面熔化退火是有用的，因为它们防止设备结构回流。
摘要（英）：
Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell times are disclosed. The method includes locally pre-heating the wafer with a pre-heat line image and then rapidly scanning an annealing image relative to the pre-heat line image to define a scanning overlap region that has a dwell time is in the range from 10 ns to 500 ns. These ultra-short dwell times are useful for performing surface or subsurface melt annealing of product wafers because they prevent the device structures from reflowing.
公开/授权文献:
- CN105719958B 具有超短停留时间的激光退火系统及方法 公开/授权日：2020-08-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/268 | ......应用电磁辐射的，例如激光辐射 |