基本信息:
- 专利标题： 通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法
- 申请号：CN201510940322.9 申请日：2015-12-16
- 公开(公告)号：CN105714373B 公开(公告)日：2018-06-19
- 发明人： G·拉明 , L·阿尔特曼绍夫尔 , G·拉特尼科斯 , M·默勒 , F·幕莫勒
- 申请人： 硅电子股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人： 硅电子股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 过晓东
- 优先权： 102014226419.7 2014.12.18 DE
- 主分类号： C30B13/00
- IPC分类号： C30B13/00 ; C30B13/20
摘要：
通过从浮区结晶单晶体来生长单晶体的方法，所述浮区经感应加热以及所述结晶单晶体在旋转方向旋转，且所述旋转方向根据交替方案间隔性地反转，其特征在于：所述单晶体由于旋转方向的反转而处于静止状态期间的停留时间被限制到不超过60ms。
摘要（英）：
A single crystal is grown in a float zone which is inductively heated and the crystallizing single crystal is rotated in a direction of rotation which is periodically reversed at intervals in accordance with an alternating plan, wherein a dwell time during which the single crystal is in a state of rest because of the reversal of the direction of rotation is limited to no more than 60 ms.
公开/授权文献:
- CN105714373A 通过在浮区结晶单晶体生长单晶体的方法 公开/授权日：2016-06-29