基本信息:
- 专利标题： 半导体处理组件再生方法
- 申请号：CN201510907058.9 申请日：2015-12-09
- 公开(公告)号：CN105702561B 公开(公告)日：2018-09-18
- 发明人： 金桢一
- 申请人： 韩国东海炭素株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 韩国东海炭素株式会社
- 当前专利权人： 韩国东海炭素株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 瞿卫军; 王莹
- 优先权： 10-2014-0179667 2014.12.12 KR
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明涉及一种半导体处理组件再生方法，其步骤包括：准备包括TaC涂膜层，且在所述TaC涂膜层形成SiC沉积层的半导体处理组件，及在由包括氢气的气体、包括氯气的气体，及不活性气体形成的群中被选择的至少任意一个气体条件下，或者真空条件下，由1700‑2700℃热处理所述半导体处理组件。
公开/授权文献:
- CN105702561A 半导体处理组件再生方法 公开/授权日：2016-06-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |