基本信息:
- 专利标题： 一种微米级半导体传感器及其制备方法
- 专利标题（英）：Micron-order semiconductor sensor and preparation method thereof
- 申请号：CN201610011175.1 申请日：2016-01-08
- 公开(公告)号：CN105699429A 公开(公告)日：2016-06-22
- 发明人： 张一茗 , 王小华 , 闫广超 , 宋亚凯 , 穆广祺 , 荣命哲 , 郭煜敬 , 谭盛武 , 袁端磊 , 王礼田 , 李少华 , 曹明德 , 蒋晓旭 , 高群伟 , 张文涛 , 尉镔 , 张明礼 , 刘璐 , 宋述停 , 吕品雷
- 申请人： 平高集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网山西省电力公司 , 西安交通大学
- 申请人地址： 河南省平顶山市南环东路22号
- 专利权人： 平高集团有限公司,国家电网公司,国网山西省电力公司,西安交通大学
- 当前专利权人： 平高集团有限公司,国家电网公司,国网山西省电力公司,西安交通大学
- 当前专利权人地址： 河南省平顶山市南环东路22号
- 代理机构： 郑州睿信知识产权代理有限公司
- 代理人： 牛爱周
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; H01L21/308
The invention relates to a micron-order semiconductor sensor and a preparation method thereof, and belongs to the technical field of semiconductor sensor manufacturing.The preparation method of the micron-order semiconductor sensor includes the following steps of sputtering aluminum coating on a silicone plate, coating photoresist on the aluminum coating, covering chrome masks on the photoresist, implementing exposure, removing the chrome masks, developing, and obtaining an aluminum silicone plate; etching the silicone plate of the obtained aluminum silicone plate with an etching agent, removing the photoresist, and obtaining the micron order semiconductor sensor.The preparation method of the micron-order semiconductor sensor is high in working accuracy and processing efficiency, and is suitable for mass production.
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N27/00 | 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料 |