基本信息:
- 专利标题： 修复熔化渗入陶瓷基质复合物中的基质裂纹的方法
- 申请号：CN201480060837.3 申请日：2014-09-26
- 公开(公告)号：CN105683131B 公开(公告)日：2017-09-26
- 发明人： G.S.科曼
- 申请人： 通用电气公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： 通用电气公司
- 当前专利权人： 通用电气公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 严志军; 谭祐祥
- 优先权： 14/067,322 20131030 US
- 国际申请： PCT/US2014/057571 2014.09.26
- 国际公布： WO2015/065627 EN 2015.05.07
- 进入国家日期： 2016-05-03
- 主分类号： C04B41/85
- IPC分类号： C04B41/85
摘要：
一种修复MI‑CMC构件中的基质微裂纹的方法包括将构件的开裂基质部分内存在的“游离”硅相加热到高于硅相的熔点的温度。在构件的加热期间，将额外的硅相源供应至构件。构件附近的气氛在构件的加热期间受控。将MI‑CMC构件冷却到低于硅相的熔点以冷却和凝固已经转移到微裂纹中的硅相，从而将裂纹面结合在一起。
公开/授权文献:
- CN105683131A 修复熔化渗入陶瓷基质复合物中的基质裂纹的方法 公开/授权日：2016-06-15
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C04 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料 |
| ----C04B | 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理 |
| ------C04B41/00 | 砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理 |
| --------C04B41/60 | .仅对人造石的 |
| ----------C04B41/81 | ..涂覆或浸渍 |
| ------------C04B41/85 | ...用无机材料 |