基本信息:
- 专利标题： 微结构增强型吸收光敏装置
- 申请号：CN201480035698.9 申请日：2014-05-22
- 公开(公告)号：CN105556680B 公开(公告)日：2017-12-22
- 发明人： 王士原 , 王士平
- 申请人： 王士原 , 王士平
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 王士原,王士平
- 当前专利权人： 王士原,王士平
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 王萍; 乔毅
- 优先权： 61/826,446 2013.05.22 US
- 国际申请： PCT/US2014/039208 2014.05.22
- 国际公布： WO2014/190189 EN 2014.11.27
- 进入国家日期： 2015-12-22
- 主分类号： H01L31/0352
- IPC分类号： H01L31/0352 ; H01L31/107
摘要：
描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。
摘要（英）：
Techniques for enhancing the absorption of photons in semiconductors with the use of microstructures arc described. The microstructures, such as pillars and/or holes, effectively increase the effective absorption length resulting in a greater absorption of the photons. Using microstructures for absorption enhancement for silicon photodiodes and silicon avalanche photodiodes can result in bandwidths in excess of 10 Gb/s at photons with wavelengths of 850 nm, and with quantum efficiencies of approximately 90% or more.
公开/授权文献:
- CN105556680A 微结构增强型吸收光敏装置 公开/授权日：2016-05-04