基本信息:
- 专利标题： 制作多晶片图像传感器的方法
- 专利标题（英）：METHOD OF FABRICATING MULTI-WAFER IMAGE SENSOR
- 申请号：CN201510661646.9 申请日：2015-10-14
- 公开(公告)号：CN105529341A 公开(公告)日：2016-04-27
- 发明人： 钱胤 , 戴森·H·戴 , 李瑾 , 陆震伟 , 霍华德·E·罗兹
- 申请人： 全视科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 全视科技有限公司
- 当前专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 齐杨
- 优先权： 14/515,307 2014.10.15 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/77
A method of fabricating an image sensor includes forming a pixel array in an imaging region of a semiconductor substrate and forming a trench in a peripheral region of the semiconductor substrate after forming the pixel array. The peripheral region is on a perimeter of the imaging region. The trench is filled with an insulating material. An interconnect layer is formed after filling the trench with insulating material. A first wafer is bonded to a second wafer. The first wafer includes the interconnect layer and the semiconductor substrate. A backside of the semiconductor substrate is thinned to expose the insulating material. A via cavity is formed through the insulating material. The via cavity extends down to a second interconnect layer of the second wafer. The via cavity is filled with a conductive material to form a via. The insulating material insulates the conductive material from the semiconductor substrate.
公开/授权文献:
- CN105529341B 制作多晶片图像传感器的方法 公开/授权日：2019-04-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |