基本信息:
- 专利标题： 改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法
- 申请号：CN201410488173.2 申请日：2014-09-22
- 公开(公告)号：CN105514154B 公开(公告)日：2019-04-05
- 发明人： 何敏 , 赵哿 , 金锐 , 刘江 , 王耀华 , 高明超
- 申请人： 国家电网公司 , 国网智能电网研究院 , 国网浙江省电力公司
- 申请人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 专利权人： 国家电网公司,国网智能电网研究院,国网浙江省电力公司
- 当前专利权人： 国家电网公司,国网智能电网研究院,国网浙江省电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/08 ; H01L21/335
摘要：
本发明涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法，包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本发明改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。
公开/授权文献:
- CN105514154A 改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件及制造方法 公开/授权日：2016-04-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |