基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：CN201380079050.7 申请日：2013-08-23
- 公开(公告)号：CN105474543A 公开(公告)日：2016-04-06
- 发明人： 石原三纪夫 , 日山一明 , 川濑达也 , 大佐贺毅
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- 代理人： 何立波; 张天舒
- 国际申请： PCT/JP2013/072558 2013.08.23
- 国际公布： WO2015/025422 JA 2015.02.26
- 进入国家日期： 2016-02-23
- 主分类号： H03K17/08
- IPC分类号： H03K17/08 ; H01L21/60 ; H01L29/78 ; H03K17/00
摘要：
在半导体衬底(8)之上设置有晶体管(2)。对半导体衬底(8)的上表面的温度进行监测的温度检测用二极管(4)设置在半导体衬底(8)之上。外部电极(7)与晶体管(2)的发射极(E)、温度检测用二极管(4)的阴极(K)共同地连接。由此，能够省略温度检测用二极管(4)的阴极(K)用的外部电极，因此能够使装置小型化、提高组装性。
摘要（英）：
A transistor (2) is provided on a semiconductor substrate (8). A temperature detection diode (4) for monitoring the temperature on the upper surface of the semiconductor substrate (8) is provided on the semiconductor substrate (8). An external electrode (7) is connected in common to an emitter (E) of the transistor (2) and a cathode (K) of the temperature detection diode (4). It is thereby possible to omit an external electrode for the cathode (K) of the temperature detection diode (4), making it possible to reduce the size of the device and improve the assembling properties.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/08 | .开关电路过流或过压保护的改进 |