基本信息:
- 专利标题： 使用光学传感器的脉冲等离子体监测
- 申请号：CN201580001487.8 申请日：2015-02-03
- 公开(公告)号：CN105474378B 公开(公告)日：2019-10-15
- 发明人： 连雷 , Q·沃克 , D·坎特维尔
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 姬利永
- 优先权： 14/189,536 2014.02.25 US
- 国际申请： PCT/US2015/014279 2015.02.03
- 国际公布： WO2015/130433 EN 2015.09.03
- 进入国家日期： 2016-01-29
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
描述了使用光学传感器对脉冲等离子体的监测。在一个示例中，本发明包括：接收由半导体等离子体处理腔室中的脉冲等离子体所发射的光；以比脉冲等离子体的脉冲速率高的采样率对所接收的光进行采样，其中所采样的光具有周期性的振幅波形并且采样率比振幅波形的周期高；累积多个经采样的波形以形成平均波形；以及将平均波形的特性传输至腔室控制工具。
摘要（英）：
Monitoring of a pulsed plasma is described using an optical sensor. In one example, the invention includes receiving light emitted by a pulsed plasma in a semiconductor plasma processing chamber, sampling the received light at a sampling rate higher than a pulse rate of the pulsed plasma, wherein the sampled light has a periodic amplitude waveform and the sampling rate is higher than the period of the amplitude waveform, accumulating multiple sampled waveforms to form a mean waveform, and transmitting characteristics of the mean waveform to a chamber control tool.
公开/授权文献:
- CN105474378A 使用光学传感器的脉冲等离子体监测 公开/授权日：2016-04-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |