基本信息:
- 专利标题： 用于硅光伏电池的分组纳米结构单元系统及其制造方法
- 申请号：CN201480028253.8 申请日：2014-05-13
- 公开(公告)号：CN105431950B 公开(公告)日：2019-04-30
- 发明人： 兹比格卢·库茨尼奇 , 帕特里克·梅里埃斯
- 申请人： 赛腾高新技术公司
- 申请人地址： 法国凡尔赛
- 专利权人： 赛腾高新技术公司
- 当前专利权人： 赛腾高新技术公司
- 当前专利权人地址： 法国凡尔赛
- 代理机构： 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理人： 陈燕娴
- 优先权： 61/855,342 2013.05.14 US
- 国际申请： PCT/IB2014/002019 2014.05.13
- 国际公布： WO2014/203081 EN 2014.12.24
- 进入国家日期： 2015-11-16
- 主分类号： H01L31/0288
- IPC分类号： H01L31/0288 ; H01L31/0352 ; H01L31/036 ; H01L31/068 ; H01L31/18 ; H01L31/20 ; G02B1/00
摘要：
本发明涉及在硅中形成超材料的分组纳米结构单元系统，以及以最佳方式将它们排列在其中的制造方法。以在硅材料内部最佳排列的方式将所述纳米结构单元分组和处理。所述方法包括通过高效地使用热电子的动能以及高效地收集在转换器中产生的所有电子，来改变基本晶体单元连同应力场、电场以及重杂质掺杂以形成以最佳排列分组的纳米结构单元的超晶格从而改善光电转换效率。
公开/授权文献:
- CN105431950A 在硅中形成超材料的分组纳米结构单元系统以及在其中形成和排列它们的制造方法 公开/授权日：2016-03-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/028 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含周期表第Ⅳ族元素的 |
| ----------------H01L31/0288 | .....以掺杂材料为特征的 |