基本信息:
- 专利标题： 空腔形成方法以及半导体器件结构
- 申请号：CN201510917443.1 申请日：2015-12-10
- 公开(公告)号：CN105428218B 公开(公告)日：2019-04-12
- 发明人： 季锋 , 闻永祥 , 刘琛 , 孙伟
- 申请人： 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理人： 余毅勤
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
本发明提供了一种空腔形成方法以及半导体器件结构，所述空腔形成方法在N型掺杂的硅衬底正面预定区域形成N型掺杂区域，并将硅衬底正面的N型掺杂区域转换为多孔硅层，再在硅衬底的正面外延生长单晶硅层，并在单晶硅层中形成暴露所述多孔硅层的通孔，随后去除所述多孔硅层以形成空腔。本发明使用单一硅片即可形成空腔结构，并且通过控制N型掺杂区域的结深就能控制空腔的大小，工艺简单，成本较低。此外，该方法能够与CMOS工艺兼容，可用于制造IC与MEMS兼容的集成器件。
公开/授权文献:
- CN105428218A 空腔形成方法以及半导体器件结构 公开/授权日：2016-03-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |