专利号CN201480041085.6 | 膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法

专利标题：膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法
专利标题（英）：Film-forming composition, film formed thereby, and method for manufacturing organic semiconductor element using same
申请号：CN201480041085.6 申请日：2014-07-14
公开(公告)号：CN105393341A 公开(公告)日：2016-03-09
发明人：照井贵阳 , 小森谷治彦 , 小林史人 , 原由香里 , 原育成
申请人：中央硝子株式会社
申请人地址：日本山口县
专利权人：中央硝子株式会社
当前专利权人：中央硝子株式会社
当前专利权人地址：日本山口县
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所
代理人：刘新宇; 李茂家
优先权： 2013-150002 2013.07.19 JP; 2014-142189 2014.07.10 JP
国际申请： PCT/JP2014/068663 2014.07.14
国际公布： WO2015/008720 JA 2015.01.22
进入国家日期： 2016-01-19
主分类号： H01L21/47
IPC分类号： H01L21/47 ; C08K5/02 ; C08K5/06 ; C08L27/12 ; H01L21/027 ; H01L21/308 ; H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L51/05 ; H01L51/40 ; H01L51/50 ; H01L21/312

摘要：

本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。

摘要（英）：

This film-forming composition contains a fluorine resin and a fluorine-based solvent, said fluorine resin containing a repeat unit that can be represented by general formula (1). (Each R1 independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, and each R2 independently represents a C1-15 straight-chain fluorine-containing hydrocarbon group or a C3-15 branched or cyclic fluorine-containing hydrocarbon group. Fluorine atoms may be substituted in for hydrogen atoms in said hydrocarbon groups, and each repeat unit contains at least one fluorine atom.). This composition is useful for a method for manufacturing an organic semiconductor element, as said composition is capable of forming a film on top of an organic semiconductor film, and when using photolithography or the like to form a detailed organic-semiconductor pattern, said composition is resistant to etching solvents.

CN105393341B 膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法公开/授权日：2018-03-16

中国专利公布公告审查信息 Global Dossier Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/42	....用辐射轰击的
----------------H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/465	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/47	.......有机层，例如光刻胶

发明公开 CN105393341A 膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法 有权

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