基本信息:
- 专利标题： 用于制备多晶硅的方法
- 专利标题（英）：Process for the preparation of polycrystalline silicon
- 申请号：CN201480035722.9 申请日：2014-03-24
- 公开(公告)号：CN105339302A 公开(公告)日：2016-02-17
- 发明人： 米夏埃尔·克舍尔 , 赖纳·佩什 , 阿明·桑德纳
- 申请人： 瓦克化学股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 瓦克化学股份公司
- 当前专利权人： 瓦克化学股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 张英; 宫传芝
- 优先权： 102013207251.1 2013.04.22 DE
- 国际申请： PCT/EP2014/055837 2014.03.24
- 国际公布： WO2014/173596 DE 2014.10.30
- 进入国家日期： 2015-12-22
- 主分类号： C01B33/035
- IPC分类号： C01B33/035 ; G01N29/00 ; G01N21/00
Process for the preparation of polycrystalline silicon, comprising deposition of polycrystalline silicon on support bodies located in at least one reactor, as a result of which polycrystalline silicon rods are obtained, formation of the polycrystalline silicon rods from the at least one reactor, comminution of the formed polycrystalline silicon rods into segments, characterized in that after the formation of the polycrystalline silicon rods from the at least one reactor and before the comminution of the formed polycrystalline silicon rods into segments, the polycrystalline silicon present in rod form is classified by reference to at least one feature in at least two quality classes, with every at least two quality classes being passed to separate further processing steps.
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01B | 非金属元素；其化合物 |
| ------C01B33/00 | 硅；其化合物 |
| --------C01B33/02 | .硅 |
| ----------C01B33/021 | ..制备 |
| ------------C01B33/023 | ...用二氧化硅或含二氧化硅的物料的还原方法 |
| --------------C01B33/035 | ....在存在硅、碳或耐熔金属（如钽或钨）的热丝情况下，或在存在热硅棒［通过沉积硅，如西门子法获得硅棒］情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原 |