基本信息:
- 专利标题： 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法
- 申请号：CN201510856825.8 申请日：2015-11-30
- 公开(公告)号：CN105337166B 公开(公告)日：2019-01-11
- 发明人： 李密锋 , 汤宝
- 申请人： 武汉电信器件有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 专利权人： 武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人： 武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 代理机构： 北京汇泽知识产权代理有限公司
- 代理人： 程殿军; 张瑾
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183 ; H01S5/343
摘要：
本发明提供了一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延(MBE)生长方法，该方法包括先将GaAs衬底脱氧预处理后，依次外延生长GaAs缓冲层、下DBR、有源区、氧化限制层及上DBR，其生长过程中，有源区夹在上、下DBR之间，有源区势垒中间位置采用δ掺杂方法，其中掺杂源选用碳(C)，δ掺杂结束后在As保护下停顿生长一段时间，藉由方法，解决了降低阈值、增加差分增益以及降低非线性增益压缩的技术问题，达成了减小光学损耗以及线宽，增强输出功率和本征带宽的良好效果。
公开/授权文献:
- CN105337166A 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法 公开/授权日：2016-02-17