基本信息:
- 专利标题： 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法
- 申请号：CN201410800225.5 申请日：2014-12-19
- 公开(公告)号：CN105304709B 公开(公告)日：2020-01-10
- 发明人： 张简旭珂 , 林子凯 , 郑志成
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 优先权： 62/011,348 2014.06.12 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要：
本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的鳍结构。该半导体器件也包括覆盖鳍结构的一部分的栅极堆叠件以及位于鳍结构上方并且邻近栅极堆叠件的外延生长的源极/漏极结构。该半导体器件还包括位于外延生长的源极/漏极结构上方的半导体保护层。半导体保护层的硅原子浓度大于外延生长的源极/漏极结构的硅原子浓度。
摘要（英）：
A structure and a formation method of a semiconductor device are provided. The semiconductor device includes a semiconductor substrate and a fin structure over the semiconductor substrate. The semiconductor device also includes a gate stack covering a portion of the fin structure and an epitaxially grown source/drain structure over the fin structure and adjacent to the gate stack. The semiconductor device further includes a semiconductor protection layer over the epitaxially grown source/drain structure. The semiconductor protection layer has an atomic concentration of silicon greater than that of the epitaxially grown source/drain structure.
公开/授权文献:
- CN105304709A 鳍式场效应晶体管的结构和形成方法 公开/授权日：2016-02-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |