基本信息:
- 专利标题： 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法
- 申请号：CN201510657533.1 申请日：2015-10-13
- 公开(公告)号：CN105242189B 公开(公告)日：2018-10-19
- 发明人： 刘宾礼 , 罗毅飞 , 肖飞 , 汪波 , 夏燕飞 , 陶涛 , 熊又星 , 王钰
- 申请人： 中国人民解放军海军工程大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- 专利权人： 中国人民解放军海军工程大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军海军工程大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市硚口区解放大道717号
- 代理机构： 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理人： 马辉
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明属于电力电子器件与装置可靠性技术领域，具体涉及一种基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法。安装调试完毕后，投入使用之前，在一定条件下测试IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率并标记初始值；器件投入使用后，定期测试IGBT器件的集射极饱和压降和焊料层空洞率并记录测量值；将测量值与初始值进行比较，根据比较结果判断IGBT器件的集射极饱和压降与焊料层空洞率是否达到失效标准；当集射极饱和压降与焊料层空洞率未达到IGBT器件失效标准时测试值带入仿真模型中，计算出IGBT器件的疲劳老化进程与剩余寿命；当达到IGBT器件失效标准时，判定为器件失效并对IGBT器件进行更换。本发明直接用于IGBT器件的健康状态监测与可靠性评估。
公开/授权文献:
- CN105242189A 基于集射极饱和压降与焊料层空洞率的IGBT健康状态监测方法 公开/授权日：2016-01-13
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |