基本信息:
- 专利标题： 一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置
- 专利标题（英）：MEMS pressure sensor manufacturing method and electronic device
- 申请号：CN201410276142.0 申请日：2014-06-19
- 公开(公告)号：CN105203235A 公开(公告)日：2015-12-30
- 发明人： 伏广才 , 倪海勇
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理人： 高伟; 赵礼杰
- 主分类号： G01L1/14
- IPC分类号： G01L1/14 ; G01L9/12 ; B81C1/00 ; B81B7/02
The invention provides a MEMS pressure sensor manufacturing method and an electronic device, and relates to the technical field of semiconductors. The MEMS pressure sensor manufacturing method of the invention comprises a step of forming an etching stop component in a position, corresponding to a to-be-formed pressure trench, on a pressure sensing film and a step of removing the etching stop component. Therefore, the pressure sensing film is prevented from being etched improperly in the process of etching a cover layer to form a pressure trench, the cover layer and the pressure sensing film are prevented from distorting, the reliability and sensitivity of MEMS pressure sensors are improved, and drift of pressure sensors is avoided. The electronic device comprises a MEMS pressure sensor manufactured by the MEMS pressure sensor manufacturing method, and thus has the same advantages.
公开/授权文献:
- CN105203235B 一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置 公开/授权日：2018-04-13
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01L | 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力 |
| ------G01L1/00 | 力或应力的一般计量 |
| --------G01L1/14 | .通过测量电元件的电容量或电感量的变化，例如，测量电振荡器的频率变化 |