基本信息:
- 专利标题： 具有可变电容的三端半导体器件
- 申请号：CN201480008732.3 申请日：2014-02-17
- 公开(公告)号：CN105190894B 公开(公告)日：2018-07-10
- 发明人： R·杜塔
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 陈炜
- 优先权： 13/770,005 2013.02.19 US
- 国际申请： PCT/US2014/016703 2014.02.17
- 国际公布： WO2014/130394 EN 2014.08.28
- 进入国家日期： 2015-08-13
- 主分类号： H01L29/66
- IPC分类号： H01L29/66 ; H01L27/08 ; H01L29/93 ; H01L29/94
Methods and apparatus for implementing variable, e.g., tunable, 3 terminal capacitance devices are described. In various embodiments vertical control pillars spaced apart from one another extend in a well having an opposite polarity than the polarity of the control pillars. The control pillars are arranged in a line that extends parallel to but between a deep trench gate and a well pickup. By varying the voltage applied to the control pillars the size of the depletion zone around the pillars can be varied resulting in a change in capacitance between the trench gate and pickup terminal connected to the well pickup. The generally vertical nature of the control pillars facilities control over a wide range of voltages while allowing for manufacturing using common semiconductor manufacturing steps making the device easy to implement on a chip with other semiconductor devices.
公开/授权文献:
- CN105190894A 具有可变电容的三端半导体器件 公开/授权日：2015-12-23