基本信息:
- 专利标题： 制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）：Method for mfg. semiconductor
- 申请号：CN95113148.6 申请日：1995-12-25
- 公开(公告)号：CN1051641C 公开(公告)日：2000-04-19
- 发明人： 八木能彦 , 东和司 , 塚原法人 , 熊谷浩一 , 米泽隆弘
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 萧掬昌; 王岳
- 优先权： 322032/1994 1994.12.26 JP; 007523/1995 1995.01.20 JP; 009401/1995 1995.01.25 JP
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/50 ; H01L21/60
摘要：
设置于半导体芯片(4)的表面上的电极端(5)在平面视图上具有方形。而且，设置于电极端(5)上的凸块(8)的突出顶部(8a)指向电极端(5)的角部(5a)。于是，使通过毛细管(1)供给的金丝(2)的下端部熔化而形成的金球(2a)与电极端(5)接合，然后，沿方形电极(5)的对角线方向移动毛细管(1)。因而，使金丝(2)的主体与金球(2a)分离开，以形成凸块(8)。
摘要（英）：
An electrode terminal (5) provided on a surface of a semiconductor chip (4) has a square shape in plane view. Further, the projecting apex portion (8a) of a bump (8) provided on the electrode terminal (5) orients to a corner portion (5a) of the electrode terminal (5). Hereupon, a gold ball (2a) formed by melting the lower end portion of a gold wire (2) supplied through a capillary (1) is joined to the electrode terminal (5), and then the capillary (1) is moved in the direction of a diagonal line of the square electrode (5). Thus, the main portion of the gold wire (2) is separated from the gold ball (2a) so that the bump (8) is formed.
公开/授权文献:
- CN1130306A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：1996-09-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |