![有机膜化学机械研磨浆料组成物及使用其的研磨方法](/CN/2014/8/4/images/201480021926.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 有机膜化学机械研磨浆料组成物及使用其的研磨方法
- 申请号:CN201480021926.7 申请日:2014-04-17
- 公开(公告)号:CN105143390B 公开(公告)日:2019-08-13
- 发明人: 崔正敏 , 能条治辉 , 朴容淳 , 兪龙植 , 姜东宪 , 金高恩 , 金泰完
- 申请人: 三星SDI株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- 专利权人: 三星SDI株式会社
- 当前专利权人: 三星SDI株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人: 杨文娟; 臧建明
- 优先权: 10-2013-0042551 2013.04.17 KR
- 国际申请: PCT/KR2014/003367 2014.04.17
- 国际公布: WO2014/171766 KO 2014.10.23
- 进入国家日期: 2015-10-16
- 主分类号: C09K3/14
- IPC分类号: C09K3/14 ; H01L21/304
摘要:
本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法,该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂,其中所述组成物为酸性,且所述有机膜具有约50原子%至95原子%的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度,且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除,借此确保更均匀研磨。
摘要(英):
The present invention relates to an organic film CMP slurry composition for polishing an organic film, which includes at least either of a polar solvent or a non-polar solvent and a metal oxide abrasive, is acidic, and has a carbon content of around 50 to 95 atm %, and a polishing method using the same.
公开/授权文献:
- CN105143390A 有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法 公开/授权日:2015-12-09
IPC结构图谱:
C | 化学;冶金 |
--C09 | 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用 |
----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料;不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
------C09K3/00 | 不包含在其他类目中的材料 |
--------C09K3/14 | .防滑材料;研磨材料 |