基本信息:
- 专利标题： 一种高深宽比柔性纳米柱阵列的制造方法
- 申请号：CN201510124275.0 申请日：2015-03-20
- 公开(公告)号：CN105047525B 公开(公告)日：2017-12-12
- 发明人： 马志波 , 苑伟政 , 姜澄宇 , 乔大勇 , 孟海莎
- 申请人： 西北工业大学
- 申请人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 代理机构： 西北工业大学专利中心
- 代理人： 吕湘连
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; B82Y40/00 ; G03F7/20
摘要：
本发明是属于集成电路和微纳电子机械系统制造领域，特别是一种高深宽比纳米结构阵列的制造方法。该方法需要制备高深宽比柔性纳米纤毛结构的软模板，软膜版以PDMS为浇注材料；复制高深宽比柔性纳米纤毛阵列的模板。以压印过的PDMS为模板，采用紫外光固化胶OrmoStamp材料进行压印，这样就得到了和硅模具上一样的柔性结构。本发明的有益效果是：针对高深宽比柔性纳米结构的制造难点，提出了基于PDMS和紫外光固化胶OrmoStamp两种柔性材料，通过两次压印的方法，实现高深宽比纳米纤毛阵列的柔性制造，为高深宽比柔性纳米结构的制造提供重要的技术支持。
公开/授权文献:
- CN105047525A 一种高深宽比柔性纳米柱阵列的制造方法 公开/授权日：2015-11-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |