基本信息:
- 专利标题： 混合存储器类型混合高速缓存
- 申请号：CN201480013145.3 申请日：2014-03-13
- 公开(公告)号：CN105009095B 公开(公告)日：2017-12-05
- 发明人： X·董 , J·徐
- 申请人： 高通股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人： 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 周敏
- 优先权： 13/843,190 2013.03.15 US
- 国际申请： PCT/US2014/025971 2014.03.13
- 国际公布： WO2014/151548 EN 2014.09.25
- 进入国家日期： 2015-09-08
- 主分类号： G06F12/0846
- IPC分类号： G06F12/0846 ; G06F12/0893 ; G11C11/00 ; G11C11/16 ; G11C13/00 ; G11C14/00
摘要：
混合高速缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)部分和电阻性随机存取存储器部分。混合高速缓存的高速缓存线被配置成包括SRAM宏和电阻性随机存取存储器宏两者。混合高速缓存被配置成使得在每个高速缓存访问循环中SRAM宏在电阻性随机存储器宏之前被访问。在SRAM宏被访问时，较慢的电阻性随机存取存储器达到数据访问就绪状态。
摘要（英）：
A hybrid cache includes a static random access memory (SRAM) portion and a resistive random access memory portion. Cache lines of the hybrid cache are configured to include both SRAM macros and resistive random access memory macros. The hybrid cache is configured so that the SRAM macros are accessed before the resistive random memory macros in each cache access cycle. While SRAM macros are accessed, the slower resistive random access memory reach a data access ready state.
公开/授权文献:
- CN105009095A 混合存储器类型混合高速缓存 公开/授权日：2015-10-28
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G06 | 计算；推算；计数 |
| ----G06F | 电数字数据处理 |
| ------G06F12/00 | 在存储器系统或体系结构内的存取、寻址或分配 |
| --------G06F12/02 | .寻址或地址分配；地址的重新分配 |
| ----------G06F12/08 | ..在分级结构的存储系统中的寻址、地址分配、或地址的重新分配，例如，虚拟存储系统 |
| ------------G06F12/0802 | ...存储器层的寻址，其中需要关联寻址方法来访问期望数据或数据块，例如：高速缓存 |
| --------------G06F12/0804 | ....带有主存储器更新的 |
| ----------------G06F12/0846 | .....带有可同时存取的多标识或数据队列的高速缓存器 |