基本信息:
- 专利标题： 定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料的制备方法
- 申请号：CN201510271377.5 申请日：2015-05-25
- 公开(公告)号：CN104962771B 公开(公告)日：2017-04-26
- 发明人： 史忠旗 , 张阔 , 杨少辉 , 夏鸿雁 , 王继平 , 乔冠军 , 王红洁 , 杨建锋
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 咸阳瞪羚谷新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址： 712046 陕西省咸阳市高新技术产业开发区高科二路孵化园7号楼2层
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 朱海临
- 主分类号： C22C1/08
- IPC分类号： C22C1/08 ; C22C21/00 ; C22C32/00 ; C22C30/00 ; C22C29/06
摘要：
本发明公开了一种定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法，该复合材料由SiC陶瓷相、金刚石颗粒相和Al金属相组成；其制备方法由①定向多孔SiC陶瓷的制备、②在金刚石颗粒表面涂覆WC涂层、③金刚石颗粒在多孔SiC陶瓷定向孔隙中的填充及④Al自发熔渗入填充有金刚石颗粒的定向孔中四个步骤完成。采用本发明方法制备的定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料，其在平行于定向孔方向具有很高的热导率，能将半导体产生的热量及时传递给热沉而散除；其在垂直于定向孔方向(半导体器件所在的平面)能获得与封装基板相匹配的热膨胀系数，从而减小封装材料与半导体器件之间的热应力，提高半导体工作效率和使用寿命。
公开/授权文献:
- CN104962771A 定向多孔SiC与金刚石增强的Al基复合材料及制备方法 公开/授权日：2015-10-07
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C22 | 冶金（铁的冶金入C21）；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理 |
| ----C22C | 合金 |
| ------C22C1/00 | 合金的制造 |
| --------C22C1/08 | .有开或闭孔隙的合金 |