基本信息:
- 专利标题： 碳化硅半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method therefor
- 申请号：CN201380068225.4 申请日：2013-12-19
- 公开(公告)号：CN104871320A 公开(公告)日：2015-08-26
- 发明人： 福井裕 , 香川泰宏 , 田中梨菜 , 阿部雄次 , 今泉昌之
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 金春实
- 优先权： 2012-288406 2012.12.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/007461 2013.12.19
- 国际公布： WO2014/103256 JA 2014.07.03
- 进入国家日期： 2015-06-26
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/12 ; H01L29/739
摘要：
提供一种能够碳化硅基板的截止角对半导体装置的特性造成的影响并且实现动作稳定性的提高和低电阻化的碳化硅半导体装置。在沟道栅极型碳化硅MOSFET中，在阱区中形成高浓度阱区，使从碳化硅半导体的所述沟道的第1侧壁面到所述高浓度阱区的距离大于从隔着所述栅极电极与所述沟道的第1侧壁面对置的所述沟道的第2侧壁面到所述高浓度阱区的距离。
摘要（英）：
The invention provides a silicon-carbide semiconductor device whereby the impact that the off-angle of a silicon-carbide substrate has on the characteristics of the semiconductor device is reduced, allowing improved behavioral stability and reduced resistance. In this trench-gate silicon-carbide MOSFET semiconductor device, a high-concentration well region is formed inside a well region and the distance from a first side wall of the trench in said silicon-carbide semiconductor device to the high-concentration well region is made larger than the distance from a second side wall of the trench, said second side wall being opposite the first side wall with a gate electrode interposed therebetween, to the high-concentration well region.
公开/授权文献:
- CN104871320B 碳化硅半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2017-08-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |