基本信息:
- 专利标题： n型SiC单晶的制造方法
- 申请号：CN201380067728.X 申请日：2013-04-01
- 公开(公告)号：CN104870698B 公开(公告)日：2017-06-09
- 发明人： 白井嵩幸
- 申请人： 丰田自动车株式会社
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 丰田自动车株式会社
- 当前专利权人： 丰田自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 李英
- 优先权： 2012-288239 20121228 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/059984 2013.04.01
- 国际公布： WO2014/103394 JA 2014.07.03
- 进入国家日期： 2015-06-24
- 主分类号： C30B17/00
- IPC分类号： C30B17/00 ; C30B19/04 ; C30B19/06 ; C30B29/36
摘要：
提供了能够以快的速度使具有低电阻率的n型SiC单晶成长的n型SiC单晶的制造方法。该n型SiC单晶的制造方法，其是使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使n型SiC单晶结晶成长的n型SiC单晶的制造方法，包括：将氮化物添加至用于形成Si‑C溶液的原料或者Si‑C溶液。
公开/授权文献:
- CN104870698A n型SiC单晶的制造方法 公开/授权日：2015-08-26