基本信息:
- 专利标题： 具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯
- 专利标题（英）：Power Transistor Die With Capacitively Coupled Bond Pad
- 申请号：CN201510084864.0 申请日：2015-02-17
- 公开(公告)号：CN104867893A 公开(公告)日：2015-08-26
- 发明人： A.比尔纳 , H.布雷希 , S.格尔 , R.威尔逊 , M.齐格尔德伦
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 蒋骏; 胡莉莉
- 优先权： 14/186840 2014.02.21 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L27/06
A power transistor die includes a transistor formed in a semiconductor body. The transistor has a gate terminal, an output terminal and a third terminal. The gate terminal controls a conduction channel between the output terminal and the third terminal. The power transistor die further includes a structured first metal layer disposed on and insulated from the semiconductor body. The structured first metal layer is connected to the output terminal of the transistor. The power transistor die also includes a first bond pad disposed on and insulated from the semiconductor body. The first bond pad forms an output terminal of the power transistor die and is capacitively coupled to the structured first metal layer so as to form a series capacitance between the output terminal of the transistor and the first bond pad. A power semiconductor package including the power transistor die is also provided.
公开/授权文献:
- CN104867893B 具有电容耦合的接合焊盘的功率晶体管管芯 公开/授权日：2018-01-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |