![太阳能电池及其制造方法](/CN/2014/8/0/images/201480003043.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 太阳能电池及其制造方法
- 申请号:CN201480003043.3 申请日:2014-06-12
- 公开(公告)号:CN104781937B 公开(公告)日:2017-09-15
- 发明人: 田永权
- 申请人: 田永权
- 申请人地址: 韩国首尔
- 专利权人: 田永权
- 当前专利权人: 田永权
- 当前专利权人地址: 韩国首尔
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人: 吕俊刚; 刘久亮
- 优先权: 10-2013-0068897 20130617 KR 10-2014-0031121 20140317 KR 10-2014-0066764 20140602 KR
- 国际申请: PCT/KR2014/005144 2014.06.12
- 国际公布: WO2014/204130 KO 2014.12.24
- 进入国家日期: 2015-05-14
- 主分类号: H01L31/0749
- IPC分类号: H01L31/0749 ; H01L31/0224 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种用于改进太阳能电池的光电转换效率的太阳能电池的结构及其制造方法。根据本发明的太阳能电池的一个方面涉及一种太阳能电池,该太阳能电池具有形成在彼此面对设置的两个电极之间的光吸收层,其中,在所述电极与所述光吸收层之间形成有电极化层,该电极化层包括形成内建电场的电极化材料。
公开/授权文献:
- CN104781937A 太阳能电池及其制造方法 公开/授权日:2015-07-15
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件 |
--------H01L31/02 | .零部件 |
----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列,如太阳电池板或阵列 |
------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |
--------------H01L31/0749 | ....包括AIBIIICVI化合物,例如CdS/CuInSe2 |