基本信息:
- 专利标题： 薄化集成电路装置与其制作流程
- 申请号：CN201410627580.7 申请日：2014-11-07
- 公开(公告)号：CN104779233B 公开(公告)日：2018-11-30
- 发明人： 吴升财 , 简恒杰 , 刘汉诚 , 赵玉麟 , 骆韦仲
- 申请人： 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址： 中国台湾新竹县
- 专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人： 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 优先权： 103101039 2014.01.10 TW
- 主分类号： H01L23/488
- IPC分类号： H01L23/488 ; H01L23/522 ; H01L21/60
A thinned integrated circuit device and manufacturing process for the same are disclosed. The manufacturing process includes forming a through-silicon via (TSV) on a substrate, a first terminal of the TSV is exposed on a first surface of the substrate, disposing a bump on the first surface of the substrate to make the bump electrically connected with the TSV, disposing an integrated circuit chip (IC) on the bump so that a first side of the IC is connected to the bump, disposing a thermal interface material (TIM) layer on a second side of the IC opposite to the first side of the IC, attaching a heat-spreader cap on the IC by the TIM layer, and backgrinding a second surface of the substrate to expose the TSV to the second surface of the substrate while carrying the heat-spreader cap.
公开/授权文献:
- CN104779233A 薄化集成电路装置与其制作流程 公开/授权日：2015-07-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/488 | ..由焊接或黏结结构组成 |